收藏本站
HUMIDITY TEST (Tables 5A, 5H..5J)
TABLE 5A: MOSFET/IGBT single device
Date Code
# Part Number or Temp.
Test # [°C]
1 IXDD404SIA 1695 121
2 IXKH24N60C5 2066 121
3 IXKP13N60C5M 1716 85
4 IXKP13N60C5M 1687 121
Rel. H.
[%]
100
100
85
100
Time
[hrs]
96
48
1000
96
Sample
Size
30
20
20
10
Failures
0
0
0
0
Device Hours
[hrs]
2880
960
20000
960
Remark
TABLE 5E: FRED
Date Code
#
Part Number
or
Temp.
Rel. H.
Time
Sample
Failures
Device Hours
Remark
Test #
[°C]
[%]
[hrs]
Size
[hrs]
1
2
3
4
5
6
7
8
DPG20C300PN
DPG60C400QB
DSEI2x61-12B
DSEI8-06AS
DSEP30-06BR
DSEP30-12CR
DSEP8-03AS
MEO450-12DA
1908
1446
1607
1535
1536
1927
1837
1742
121
121
121
121
121
121
121
85
100
100
100
100
100
100
100
85
96
96
96
48
48
48
96
168
20
8
20
20
20
20
20
10
0
0
0
0
0
0
0
0
1920
768
1920
960
960
960
1920
1680
TABLE 5F: Schottky Diode
Date Code
#
Part Number
or
Temp.
Rel. H.
Time
Sample
Failures
Device Hours
Remark
Test #
[°C]
[%]
[hrs]
Size
[hrs]
1
2
3
4
5
DSA120C150QB
DSA20C100PB
DSA20C100PB
DSA20C60PN
DSA90C200HB
1907
1835
1835
1974
1836
121
85
121
121
85
100
85
100
100
85
96
1000
96
96
1000
20
20
20
20
20
0
0
0
0
0
1920
20000
1920
1920
20000
6
7
8
9
DSA90C200HB
DSB15IM45IB
DSS31-0045A SN
DSS6-015AS
1836
1622
1492
1723
121
121
121
121
100
100
100
100
96
96
96
96
20
20
77
77
1
0
0
0
1920
1920
7392
7392
I_R increased
TABLE 5G: Thyristor/Diode single device
Date Code
# Part Number or Temp.
Test # [°C]
1 CS45-12io1 1754 121
2 DSDI60-14A 1806 121
3 DSI45-16A 1976 121
Rel. H.
[%]
100
100
100
Time
[hrs]
48
48
96
Sample
Size
20
20
20
Failures
0
0
0
Device Hours
[hrs]
960
960
1920
Remark
TABLE 5H: ISOPLUS
Date Code
#
Part Number
or
Temp.
Rel. H.
Time
Sample
Failures
Device Hours
Remark
Test #
[°C]
[%]
[hrs]
Size
[hrs]
1
2
DSEP30-06BR
DSEP30-12CR
1536
1927
121
121
100
100
48
48
20
20
0
0
960
960
TABLE 5J: Breakover diode
Date Code
# Part Number or
Test #
Temp.
[°C]
Rel. H.
[%]
Time
[hrs]
Sample
Size
Failures
Device Hours
[hrs]
Remark
1
IXBOD1-08 1941
121
100
48
20
0
960
2 IXBOD1-09 1800
3 IXBOD1-10 1576
4 IXBOD1-10 2096
121
121
121
100
100
100
48
48
48
20
20
20
0
0
0
960
960
960
IXYS Semiconductor GmbH
20
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTQ40N50Q MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
IXTQ42N25P MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
IXTQ44N50P MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
IXTQ460P2 MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IXTQ470P2 MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
IXTQ480P2 MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
IXTQ50N20P MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
IXTQ50N25T MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTQ30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube